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内存涨价逼厂商“回头”考虑microSD 内存卡真有可能重回手机吗？

作者：舞夢輝影 | 点击: | 来源：舞夢輝影

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2025

据路透社消息，受人工智能技术快速发展带动高带宽内存（HBM）及高端DRAM需求暴涨影响，内存制造商正加速将产线资源向AI相关存储产品倾斜，致使面向智能手机与个人电脑的传统DRAM供应持续趋紧，进而推升其合约价与现货市场价格，最终传导至整机BOM成本及终端零售价格。在此背景下，近期多位数码领域博主透露，部分手机厂商已在内部启动评估，考虑重新引入曾被主流机型逐步淘汰的microSD卡扩展功能，以此作为缓解存储成本压力的可行路径——在保留入门级价位竞争力的同时，降低对高容量内置闪存的依赖。倘若DRAM...

据路透社消息，受人工智能技术快速发展带动高带宽内存（hbm）及高端dram需求暴涨影响，内存制造商正加速将产线资源向ai相关存储产品倾斜，致使面向智能手机与个人电脑的传统dram供应持续趋紧，进而推升其合约价与现货市场价格，最终传导至整机bom成本及终端零售价格。

在此背景下，近期多位数码领域博主透露，部分手机厂商已在内部启动评估，考虑重新引入曾被主流机型逐步淘汰的microSD卡扩展功能，以此作为缓解存储成本压力的可行路径——在保留入门级价位竞争力的同时，降低对高容量内置闪存的依赖。

倘若D

RAM价格长期维持高位，为稳固对价格敏感用户的吸引力，厂商或将更积极地在入门与中端机型中回归“SIM+SD二合一卡槽”设计，引导用户通过成本更低的外置存储卡实现容量扩容，而非出厂即搭载大容量内置存储，从而将上游涨价带来的成本压力向外转移。

然而，microSD卡若想真正重返旗舰或主流机型，仍面临多重现实障碍。

首要挑战在于性能落差：当前microSD卡（即便是最新microSD Express规格）在读写速度、尤其是随机I/O能力与延迟控制方面，仍显著落后于板载UFS闪存。即便采用Express标准，其实际应用加载效率与系统响应流畅度也难以完全匹配原生存储体验。

以UFS 4.1为例，其顺序读取带宽普遍可达约4000 MB/s，并在随机读写性能、低延迟响应及多任务并发访问能力上具备明显优势；相比之下，市面上主流microSD Express卡的顺序读取速率多集中于800–1600 MB/s区间，且在随机读写吞吐、响应延迟以及长时间写入稳定性等方面均不及UFS。而系统启动、APP冷启动、界面滑动切换、小文件高频读取等典型使用场景，恰恰高度依赖随机I/O效率与低延迟表现——若将核心应用或系统数据部署于microSD卡（包括Express版本），用户很可能感知到明显加载延迟或瞬时卡顿。

不过，microSD Express在大容量媒体存储场景中依然具备实用价值，例如照片库、4K/8K视频缓存、离线音乐与*资源等，可在成本受限的机型中高效补充存储空间，成为性价比导向下的务实选择。

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