长江存储在推进“全国产化”制造工艺方面取得关键进展,预计首条完全采用国产设备的生产线将于2025年下半年进入试产阶段。自2022年底被美国商务部列入实体清单后,长江存储仍持续加快产能布局,目标在2025年实现每月约15万片晶圆的生产能力(WSPM),并计划到2026年底占据全球NAND闪存市场15%的份额。目前,其月产能已接近13万片晶圆,约占全球总产能的8%。公司已开始量产232层TLC(三层单元)存储芯片(型号X4-9070),通过双层堆叠技术实现等效294层结构。产品路线图显示,长江存储将...
长江存储在推进“全国产化”制造工艺方面取得关键进展,预计首条完全采用国产设备的生产线将于2025年下半年进入试产阶段。
自2025年底被美国商务部列入实体清单后,长江存储仍持续加快产能布局,目标在2025年实现每月约15万片晶圆的生产能力(WSPM),并计划到2026年底占据全球NAND闪

存市场15%的份额。
目前,其月产能已接近13万片晶圆,约占全球总产能的8%。公司已开始量产232层TLC(三层单元)存储芯片(型号X4-9070),通过双层堆叠技术实现等效294层结构。
产品路线图显示,长江存储将推出1TB容量的TLC存储器件,并计划于今年晚些时候发布3D QLC芯片X4-6080,以及2TB规格的TLC芯片X5-9080。
后续技术迭代将采用三层堆叠方案,推动3D NAND层数突破300层,从而提升单晶圆比特产出,尽管可能伴随一定程度的吞吐效率下降。
为降低对国外制造设备的依赖,长江存储拟于2025年下半年启动一条全面使用国产化设备的试验性产线。
行业分析指出,若该产线运行成功,未来有望使比特产量翻倍,并助力市场份额突破15%。但专家也强调,该产线目前属于技术验证性质,距离全面量产仍有较长的路要走。
据TechInsights发布的报告,长江存储最新搭载“Xtacking 4.0”架构的芯片在性能表现上已接近国际领先水平。然而,在极紫外光刻(EUV)等核心工艺环节,中国仍存在技术短板,未来的增长潜力将高度依赖于设备自主化与良率提升的进程。
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