1月12日最新消息,据多方报道,当前存储芯片市场的缺货与涨价趋势,正由上游晶圆制造环节加速向下游封装测试(封测)领域扩散。伴随DRAM及NANDFlash主要厂商全力提升出货节奏,力成、华东科技、南茂等头部存储封测企业订单持续涌入,整体产能利用率已逼近饱和状态,近期纷纷上调封测服务报价,部分项目涨幅高达30%。据多家封测厂内部人士透露,当前订单积压严重,若需求热度持续不减,不排除于短期内启动第二轮价格调涨。行业分析认为,此轮封测价格上调的影响将自2026年第一季度起逐步体现在各公司财报中;倘若第...
1月12日最新消息,据多方报道,当前存储芯片市场的缺货与涨价趋势,正由上游晶圆制造环节加速向下游封装测试(封测)领域扩散。
伴随DRAM及NAND Flash主要厂商全力提升出货节奏,力成、华东科技、南茂等头部存储封测企业订单持续涌入,整体产能利用率已逼近饱和状态,近期纷纷上调封测服务报价,部分项目涨幅高达30%。
据多家封测厂内部人士透露,当前订单积压严重,若需求热度持续不减,不排除于短期内启动第二轮价格调涨。
行业分析认为,此轮封测价格上调的影响将自2026年第一季度起逐步体现在各公司财报中;倘若第二波涨价如期落地,2026年或将成为存储封测行业“量价双升”的关键之年,
相关厂商盈利水平有望显著跃升。
面对市场热议的涨价话题,被提及的封测企业普遍保持谨慎态度,仅表示其定价策略始终遵循市场需求动态调整原则,具备充分弹性。
业内普遍指出,本轮涨价的核心动因在于三星、SK海力士与美光三大国际存储巨头正集中资源扩产面向AI应用的高带宽内存(HBM),并将技术重心全面转向先进制程与先进封装工艺。此举导致传统标准型DRAM与NAND Flash产能进一步受限,旧制程、旧规格产品供应持续趋紧。
与此同时,国内多家封测企业亦公开表示,2025年第四季度客户订单明显回暖,整体产能利用率稳步提升。
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