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三星解散 HBM 特别团队并入 DRAM 部门

作者:霞舞 | 点击: | 来源:霞舞
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2025
韩国媒体披露,三星电子已宣布对其半导体事业部实施重大组织架构改革,正式解散成立仅一年的高带宽内存(HBM)特别项目团队,并将该团队的全部人员及业务并入DRAM开发部门下属的设计小组。此项调整已在近期召开的高层管理会议中正式发布。主要变动内容为撤销2023年7月为加速HBM技术研发而设立的独立运作团队。原团队成员将整体转入DRAM研发体系,继续专注于高性能存储解决方案的技术创新。此举标志着HBM相关业务不再作为独立单元存在,而是深度整合进主流存储芯片的研发流程中,以提升与现有DRAM产品线的协同效...

韩国媒体披露,三星电子已宣布对其半导体事业部实施重大组织架构改革,正式解散成立仅一年的高带宽内存(HBM)特别项目团队,并将该团队的全部人员及业务并入DRAM开发部门下属的设计小组。

此项调整已在近期召开的高层管理会议中正式发布。主要变动内容为撤销2025年7月为加速HBM技术研发而设立的独立运作团队。原团队成员将整体转入DRAM研发体系,继续专注于高性能存储解决方案的技术创新。此举标志着HBM相关业务不再作为独立单元存在,而是深度整合进主流存储芯片的研发流程中,以提升与现有DRAM产品线的协同效率和技术融合能力。

此前领衔HBM专项团队的副社长孙永秀,已在新的组织架构下出任DRAM部门设计团队主管。他将继续主导团队工作,推进HBM4、HBM4E等下一代高性能存储产品的关键技术突破。

该特别项目组成立于2025年5月,在全永铉接掌半导体业务后迅速组建,旨在集中优势资源应对当时在HBM领域落后于竞争对手的局面。此次重组距离团队成立尚不足一年半。业界分析认为,这反映出三星已在HBM4等前沿技术节点上建立起自主核心技术能力,摆脱了初期依赖突击型团队紧急追赶的被动模式,正转向更加系统化、长期

化的技术整合与研发战略。

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